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  主要参数:   产品   纯度   氧含量  
单晶 掺杂 导电 类型 载流子浓度cm-3 位错密 度cm-2 生长方法 最大尺寸 标准 基片 GaSb None None high R Zn Te Te high R P P- P+ N N 1~2×1017 1~5×1016 1~5×1018 2~6×1017 1~5×1016 <
  主要参数:   产品   纯度   粒度  
产品介绍 本产品纯度高、粒径小、分布均匀,比表面积大、高表面活性,松装密度 低,、具有耐高温、抗氧化、强度高、硬度高、导热性良好,韧性好,碳 化锆是一种重要的高熔点、高强度和耐腐蚀的高温结
单壁高纯碳纳米管 产品基本参数 纯度:>90% 外径:1-2nm [OD=Outer Diameter] 内径:0.8-1.6nm [ID=Inner Diameter] 长度:5-30um 比表面积:>380m2/g [SSA=Special Surf
产品介绍 本产品纯度高,粒径小,分布均匀,比表面积大,表面活性高,松装密 度低,紫外线反射率为90%以上和吸收红外波段的吸收率在97%以上,器 件的成瓷温度低,尺寸稳定性好,机械强度高,耐化学腐
产品介绍 本产品纯度高,粒径小,比表面积大,表面活性高,紫外光屏蔽大于 80%以上,有很好的阻隔性能。该材料具有良好的导电性,可用作熔 盐电解的电极和电触头等导电材料。用于增韧陶瓷以及耐高温
 如恩婴幼儿奶粉设备融合日本精研舍、瑞典阿拉法和丹麦尼鲁的国际一流的先进技术,并结合国内先进技术和生产工艺,居国内同行业的一流水平;完善的质量检验检测的品控中心,从原料进厂到产品出厂实现生产全过程、质
哈尔滨特博科技公司加工定制各种硅外延片,可接受批量订单。出口品质, 一、硅外延的定义 硅外延工艺实际上是一种薄层的单晶生长技术,它是在一定的条件下,在硅单晶的衬底片上,沿单晶的结晶方向生长一层具有一定
Typical Electrical Properties Dopant available S Zn Undoped Type of conductivity N P P Concentration ( cm -3 ) 1E17 - 3E18 1E17 - 5E18 x Hall Mobility ( cm2 / v.s. ) 10000 - 25000 10
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